常溫固態(tài)硬盤(pán)BIT老化箱可以用于M2、SATA接口固態(tài)硬盤(pán)的BIT老化測(cè)試，常溫BIT測(cè)試有多個(gè)測(cè)試項(xiàng)目，下面為大家做簡(jiǎn)單介紹。

常溫固態(tài)硬盤(pán)BIT老化箱的測(cè)試項(xiàng)目：

測(cè)試設(shè)備：環(huán)儀儀器 常溫固態(tài)硬盤(pán)BIT老化箱

測(cè)試依據(jù)：YD T 3824-2021 面向互聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的固態(tài)硬盤(pán)測(cè)試規(guī)范

測(cè)試項(xiàng)目：

1.吞吐量：主要測(cè)硬盤(pán)的吞吐量和延遲，測(cè)試時(shí)間10min。

2.IOPS：測(cè)量硬盤(pán)的IOPS和時(shí)延，將讀寫(xiě)比例分別設(shè)置為隨機(jī): 100%read、90%read10%write、70%read30%write 、 50%read50%write、30%read702write、10%read90% write、100%write。

3.寫(xiě)飽和測(cè)試（FIO）：測(cè)量被測(cè)設(shè)備對(duì)持續(xù)隨機(jī)4KiB寫(xiě)的IOPS曲線，測(cè)試時(shí)間24h。

4.Trim前后比較測(cè)試：比較被測(cè)SSD在TRIM命令激活后的恢復(fù)能力（可選)，測(cè)試記錄吞吐量、IOPS及對(duì)應(yīng)時(shí)延的時(shí)間曲線。

5.交叉刺激恢復(fù)測(cè)試：主要測(cè)量SUT在不同相鄰負(fù)載下的相互作用。

6.硬盤(pán)壓力測(cè)試：測(cè)試硬盤(pán)在壓力運(yùn)行下的運(yùn)行情況。

7.復(fù)位壓力測(cè)試：測(cè)試硬盤(pán)復(fù)位能力，采用高腳自動(dòng)化測(cè)試，重復(fù)1~3100次。